Читать онлайн «Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Часть 2»

Автор Михаил Королев

Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введе- ние примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов рас- пределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в обла- сти микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области. УДК 621. 382. 049. 77. 002(07) ББК 32. 852 Работа выполнена в рамках реализации Приоритетного национально- го проекта «Образование» и направлена на разработку Инновационной образовательной программы «Современное профессиональное образова- ние для Российской инновационной системы в области электроники» По вопросам приобретения обращаться «БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012 Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» Оглавление Введение... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . 8 Раздел 1. Основные маршруты изготовления кремниевых интегральных схем... ... ... ... ... ... ... ... . . 11 1. Дополнительные области ИС... ... ... ... ... ...
... ... ... ... ... ... ... ... . 15 1. 1. Охранные области... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . 15 Встроенные инверсные слои... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . . 15 Индуцированные инверсные слои... ... ... ... ... ... ... ... . 17 1. 2.