Читать онлайн «Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. Часть 2»
Автор Михаил Королев
Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем:
химическая и плазмохимическая обработка материала; введе-
ние примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его
охлаждение; литография; создание металлических соединений
и контактов. Приведены методы моделирования процессов рас-
пределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в обла-
сти микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может
быть использовано также специалистами, работающими в данной
области. УДК 621. 382. 049. 77. 002(07)
ББК 32. 852
Работа выполнена в рамках реализации Приоритетного национально-
го проекта «Образование» и направлена на разработку Инновационной
образовательной программы «Современное профессиональное образова-
ние для Российской инновационной системы в области электроники»
По вопросам приобретения обращаться
«БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012
Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис»
Оглавление
Введение... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . 8
Раздел 1. Основные маршруты изготовления
кремниевых интегральных схем... ... ... ... ... ... ... ... . . 11
1. Дополнительные области ИС... ... ... ... ... ...
... ... ... ... ... ... ... ... . 15
1. 1. Охранные области... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . 15
Встроенные инверсные слои... ... ... ... ... ... ... ... ... ... . . 15
Индуцированные инверсные слои... ... ... ... ... ... ... ... . 17
1. 2.
