Уведомления
Уведомлений еще не было
Лучшие скороговорки для развития речи
Лучшие скороговорки для развития речи

Елена Лаптева

8.0
3 оценки
Настольная книга project-менеджера. Что нужно знать, чтобы управлять IT, digital и другими проектами с учетом российских реалий
Настольная книга project-менеджера. Что нужно знать, чтобы управлять IT, digital и другими проектами с учетом российских реалий

Завертайлов Владимир

0.0
0 оценок
Девочка, которая не видела снов
Девочка, которая не видела снов

Сара Бет Дерст

8.8
245 оценок
Внутренняя опора. В любой ситуации возвращайтесь к себе
Внутренняя опора. В любой ситуации возвращайтесь к себе

Бабич Анна

0.0
0 оценок
Хорошая девочка должна умереть
Хорошая девочка должна умереть

Холли Джексон

0.0
0 оценок
Защита от темных искусств. Путеводитель по миру паранормальных явлений
Защита от темных искусств. Путеводитель по миру паранормальных явлений

Александр Панчин

8.4
3508 оценок

Книги Терещенко О.Е.

Терещенко О.Е. - автор 2 книг. Из известных произведений можно выделить: Определение ширины запрещенной зоны полупроводника: Методические указания к лабораторной работе, Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов. Все книги можно читать онлайн и бесплатно скачивать на нашем портале.

Фильтры
Год написания

Тип сюжета
Тема
Герои
Место действия
Время действия
Электроника
0.0
0
0
Определение ширины запрещенной зоны полупроводника: Методические указания к лабораторной работе
Костюрина А.Г.
Определение ширины запрещенной зоны полупроводника: Методические указания к лабораторной работе

При проведении работы студенты знакомятся со свойствами полупроводника, имеющего собственную проводимость, - зависимостью тока от приложенного напряжения при комнатной температуре, а также температурной зависимостью проводимости. Из совместно проведенных исследований, определяется проводимость полупроводника при комнатной температуре, ширина запрещенной зоны, концентрация носителей их подвижность,...

Костюрина А.Г. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника: Методические указания к лабораторной работе
Физика
0.0
0
0
Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов
Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов

Письма в ЖТФ - 2012 - том 38, вып. 1 - с. 27-36.Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой...

Терещенко О.Е. Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов

Книгогид использует cookie-файлы для того, чтобы сделать вашу работу с сайтом ещё более комфортной. Если Вы продолжаете пользоваться нашим сайтом, вы соглашаетесь на применение файлов cookie.