Министерство образования Республики Беларусь
БЕЛОРУССКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра «Лазерная техника и технология»
ТУ
Н. В. Кулешов
БН
А. С. Ясюкевич
й
АКТИВНЫЕ СРЕДЫ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ЛАЗЕРОВ
ри
Учебно-методическое пособие
по дисциплинам «Твердотельные лазерные системы»
и «Теория и расчет лазеров»
о
ит
Рекомендовано учебно-методическим объединением
высших учебных заведений Республики Беларусь
з
по образованию в области приборостроения
по
Ре
Минск
БНТУ
2010
УДК 621. 373. 826:535. 33(075. 8)
ББК 32. 86-5я7
К 90
Рецензенты:
д-р физ. -мат. наук, профессор К. В. Юмашев;
канд. физ. -мат. наук, доцент Н. В. Кондратюк
ТУ
Кулешов, Н. В. К 90 Активные среды твердотельных лазеров: учебно-методическое по-
собие по дисциплинам «Твердотельные лазерные системы» и «Тео-
рия и расчет лазеров» / Н. В.
Кулешов, А. С. Ясюкевич. – Минск:
БН
БНТУ, 2010. – 134 с. ISBN 978-985-525-559-9. Пособие предназначено для студентов специальности 1-38 01 02
«Оптико-электронные и лазерные приборы и системы» специализа-
й
ции 1-38 01 02 02 «Лазерные системы и технологии» и может быть по-
лезно для студентов других приборостроительных специальностей с
ри
целью ознакомления с основными активными средами твердотель-
ных лазеров и методами определения их характеристик. Издание со-
стоит из 8 глав, в которых рассмотрены методы определения спек-
троскопических характеристик активных сред, приведены уравнения,
о
описывающие работу лазеров в непрерывном режиме и режиме пас-
сивной модуляции добротности, и представлены активные лазерные
ит
среды на основе кристаллов и стекол с ионами редкоземельных эле-
ментов и переходных металлов. УДК 621. 373. 826:535. 33(075. 8)
з
ББК 32. 86-5я7
по
Ре
ISBN 978-985-525-559-9 Кулешов Н. В. ,
Ясюкевич А. С. , 2010
БНТУ, 2010
ВВЕДЕНИЕ
Твердотельные лазеры на основе кристаллов с ионами переход-
ных и редкоземельных элементов, известные уже более 40 лет, пе-
реживают мощный подъем в последнее время. Он обусловлен ря-
дом причин, важнейшими из которых являются: быстрый прогресс
в технологии производства лазерных диодов, обеспечивший новые
эффективные источники накачки и возможность создания полно-
ТУ
стью твердотельных (т. е.