Читать онлайн «Полевой транзистор с барьером Шоттки: Учебно-методическое пособие к специальному лабораторному практикуму ''Твердотельная электроника СВЧ''. Часть XII»

Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» Бойко К. В. , Нойкин Ю. М. , Нойкина Т. К. Тостолуцкий С. И. УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКОЕ ПОСОБИЕ к специальному лабораторному практикуму «Твердотельная электроника СВЧ» (специальность 013800– радиофизика и электроника) Часть XII ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ Ростов-на-Дону 2008 3  Кафедра прикладной электродинамики и компьютерного моделирования Учебно-методическое пособие разработано: кандидатом технических наук. , с. н. с. Бойко К. В. , кандидатом физико-математических наук, доцентом Нойкиным Ю. М. кандидатом физико-математических наук, доцентом Нойкиной Т. К. кандидатом технических наук. , доцентом Тостолуцким С. И. Ответственный редактор – доктор ф. -м. н. Заргано Г. Ф. Печатается в соответствии с решением кафедры ПЭКМ физического факультета ЮФУ, протокол № 7 от 13. 11. 2007 г. 4  Лабораторная работа №12 ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ Цель работы – изучить физический принцип действия, параметры и характеристики полевого транзистора с барьером Шоттки (ПТШ). Самостоятельная работа: изучить пособие, занести в рабочую тетрадь: - название и цель лабораторией работы; - основные положения, формулы, рисунки необходимые при ответе на контрольные вопросы. 1 ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ ПТШ – полупроводниковый прибор планарно-эпитаксиального типа с затвором на барьере Шоттки, имеющий контакты на внешней поверхности кристалла полупроводника n-типа. История рождения и жизни полевого транзистора – поучительный пример открытия, намного опередившего время. Изобретенный в 1930 году он пережил второе рождение в 70 – 80-х годах. Благодаря поразительным успехам физики твердого тела и полупроводниковой технологии был создан новый тип полевых транзисторов СВЧ – ПТШ, способных усиливать и генерировать электромагнитные колебания практически во всём СВЧ диапазоне вплоть до миллиметровых волн и обладающих при этом малыми собственными шумами. Полевые транзисторы (ПТ) были разработаны позже биполярных транзисторов. Конструктивно-технологические отличия ПТ, вытекающие из их принципа действия, позволяют повысить частотную границу СВЧ транзисторных устройств по сравнению с устройствами на биполярных транзисторах. Наиболее широкое применение на СВЧ находят ПТШ на арсениде галлия, 5 который имеет высокую подвижность электронов. Лучшие образцы полевых транзисторов из арсенида галлия характеризуются коэффициентом шума, 0,5 – 1,4дБ на частотах 0,5 – 18ГГц и 5 –6дБ на частотах миллиметрового диапазона. Отметим некоторые преимущества ПТШ по сравнению с биполярными транзисторами.